Electrical activity of grain boundaries in shaped grown silicon Academic Article uri icon

abstract

  • Etudes: structurale (par SEM, rayons X, profilometrie), de l'activite de recombinaison (par EBIC), et des proprietes de transport des porteurs (par conductivite, effet Hall, mobilite des porteurs). Tous les joints de grain peuvent etre divises GBs speciaux (Σ3,9), en GBs au voisinage de la coincidence, et fortement devies. (Σ3,9,13), et en GBs courants (non speciaux). Les joints de grain speciaux sont inactifs relativement aux porteurs aussi bien minoritaires que majoritaires. Les GBs au voisinage de la coincidence sont actifs par rapport aux porteurs minoritaires, mais inactifs par rapport aux porteurs majoritaires. Les GBs non speciaux et fortement devies par rapport aux orientations speciales sont tres actifs vis-a-vis des porteurs majoritaires et minoritaires. Explication de la classification de l'activite des GBs sur la base d'un modele phenomenologique qualitatif suggere

publication date

  • January 1, 1990